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6月20日，据报道，国家记忆基地二期工程在武汉东湖高新区启动。国家存储基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北科技投资集团和湖北集成电路基金共同投资，计划分两个阶段建设3d nand闪存芯片工厂。

国家记忆基地一期工程于2016年底开工建设，进展顺利。32层和64层存储芯片产品实现了稳定的大规模生产，世界上第一个128层qlc 3D闪存芯片已经成功开发。

该项目计划分两个阶段建设一个3d nand闪存芯片工厂，总投资240亿美元。

其中，一期主要实现技术突破，月生产能力达到10万件；二期工程的计划生产能力为20万件/月，二期工程达到生产能力后的月生产能力为30万件。

来源：搜狐微门户

标题：国家存储器基地项目二期于武汉开工 月规划产能20万片

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