台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术

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[TechWeb]7月13日消息，据台湾媒体报道，TSMC向先进工艺冲刺，在2纳米研发方面取得重大突破，并成功找到了一条切入全能(gaa)技术的道路。

TSMC

据台湾媒体报道，三星决定率先在3nm引入gaa技术，并宣布将在2030年超越TSMC，在全球逻辑芯片代工领域占据领先地位。TSMC的R&D军队一刻也不敢放松，积极投资2纳米R&D，取得了重大技术突破，成功找到了切入gaa的方法。

负责的高级副总经理罗也举行了庆祝宴会，感谢工程师的奉献。

TSMC的3纳米工艺预计将于明年上半年在柯南第18工厂的p4工厂试生产，并于2022年量产。基于此，行业推断TSMC的2纳米发射时间将在2023年到2024年之间。

台积电今年4月表示，finfet(鳍式场效应晶体管)技术仍将用于3纳米。主要考虑的是，在引入5纳米工艺后，客户可以引入同样设计的3纳米工艺，这可以继续为客户带来具有竞争力的成本和良好性能的产品。

TSMC成立于1987年，是世界上最大的半导体代工制造商，客户包括苹果、高通等。其总部位于台湾新竹新竹科学工业园。台积电股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，美国存托凭证在纽约证券交易所上市，股票代码为台积电。

来源：搜狐微门户