本篇文章449字,读完约1分钟
最近,半导体市场动荡,美国禁止华为,全球疫情导致经济下滑,影响了半导体的发展前景。此前,有传言称TSMC已经推迟了先进的工艺技术,其中3纳米被推迟了半年,直到明年第一季度,但该官员否认了这一消息。
TSMC的3纳米是继5纳米之后的下一代节点。官方资料显示,3纳米工艺的晶体管密度达到了前所未有的2.5亿/mm2,而5纳米工艺的晶体管密度仅为1.8亿/mm2。3纳米的性能比5纳米高7%,能耗比高15%。
在技术方面,TSMC在评估了各种选项后认为,目前的finfet工艺在成本和能效方面更好,因此finfet晶体管技术仍将是第一个在3纳米处推出的技术。
几天前,有传言称美国压制了华为,这导致对先进技术的需求放缓。TSMC不仅降低了7纳米和5纳米工艺的生产能力,还将3纳米工艺推迟了两个季度,风险试生产要到2021年第三季度才能进行,因此整体进度将推迟到上半年。
然而,TSMC否认了今天的传言,称一切按计划进行,3纳米工艺已按计划于2021年第一季度投入试生产,并于2022年下半年正式量产。
来源:搜狐微门户
标题:美国打压华为致3nm工艺延期半年?台积电:一切正常
地址:http://www.shwmhw.com/shxw/11187.html