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三星电子今天宣布，已经开始大规模生产64层256gb v-nand闪存芯片，传输速度为全球最快的1gb。除了固态硬盘，闪存芯片还将用于服务器、个人电脑和移动设备。

与以前的48位256gb v-nand相比，新的64层256gb v-nand的生产率比以前的48层256gb v-nand提高了30%以上。此外，64层v-nand电路的输入电压为2.5v，与使用48层v-nand的3.3v相比，能效提高了约30%。此外，新v-nand电池的可靠性比其前身提高了约20%。

三星表示，未来三星将堆叠90层以上的单元阵列，生产容量超过1tb的v-nand芯片。■

编辑:宋洋

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来源：搜狐微门户

标题：增速30% 三星扩展64层256GB V-NAND至全线NAND产品

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