电子科技大学3项成果获2018年度国家科学技术奖

本篇文章651字，读完约2分钟

人民网北京1月8日电今天，2018年全国科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行。据报道，中国电子科技大学作为牵头单位，获得了三项成果。

在电子科技大学的三个获奖项目中，张万利教授的“敏感薄膜集成技术及应用”项目获得了国家技术发明二等奖。该项目在李院士的领导下，克服了敏感薄膜材料集成在设备部件上的“内应力大、附着力差”的问题，突破了传感器在极端环境下“干扰大、信号弱”的技术瓶颈，形成了结构功能一体化的敏感薄膜集成生长的知识产权体系。研制的系列特种传感器满足了许多国家重点项目的迫切需要，打破了国外的技术封锁和产品禁运。

程玉华教授的项目“基于电磁辐射场成像的xxx探测方法与装置”获国家技术发明二等奖。在国家和部委重大重点项目的支持下，程玉华电子测试技术与仪器研究团队先后突破了电磁辐射场多波成像探测的一批核心关键技术，实现了复杂电磁环境下主要设备的现场性能评估。相关成果已应用于空航空、航海等军事领域和国内数十个新能源装备骨干研究单位，直接推动了装备测试行业的发展。

邓龙江教授团队的获奖项目“高磁导率磁性基片关键技术及产业化”，掌握了磁性基片集成应用的设计方法，实现了基片材料的环保低成本批量生产工艺，突破了系统集成、生产工艺、关键指标和技术标准等诸多关键技术瓶颈，打破了国外技术和市场的垄断，完成了产业化。该项目获国家科技进步二等奖。

据学校相关负责人介绍，三个获奖项目都满足了国家的重要需求和行业发展对电子信息的迫切需求，在很多方面都取得了创新和突破，达到了国内领先和国际先进水平。(李郭)

来源：搜狐微门户