英特尔解释10nm芯片为何推迟！承诺2021年推7nm产品

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据anandtech报道，在美国当地时间8日举行的英特尔资本日，首席执行官鲍勃·斯旺(bob swan)和总裁默西·伦杜辛塔拉(murthy renduchintala)谈论了公司的制造能力。英特尔在处理其工艺技术方面一直很强，但其10纳米工艺的延迟显然引发了许多问题，并且已经持续了几年。两位英特尔高管详细介绍了英特尔在此期间所做的工作以及如何从这些问题中吸取教训。

早在2013年，英特尔就提供了2.7倍的密度，并采用了新的封装技术，如自对准四边形图案(saqp)、有源接触触点(coag)、cobolt互连和emib等。，并假设它的10纳米可以成功地达到14纳米。和福韦罗斯。英特尔承认，这是一个雄心勃勃的计划，团队尚未明确界定目标，而且过于复杂，无法以理想的方式进行管理。

最后，10纳米被推到一个更晚的时间框架。在这种情况下，英特尔将10纳米技术推向了2019年(技术上，他们在2017年以10纳米的速度分批运送cannon lake，但这只是半导体时间线上的一件古董)，填补了14 +和14+的空白。

自成立以来，intels 14+和14 ++流程从该流程(从布罗德韦尔到威士忌湖)中获得了超过20%的性能。因此，英特尔不仅为未来的节点内优化做好了准备，而且实际上将调整路线图以弥补这一不足。穆尔蒂明确表示，英特尔希望在新流程开始时引入摩尔定律，并在流程结束时获得类似的好处。

英特尔表示，其10纳米产品线(坎农湖除外)将于今年年中(2019年)推出，而冰湖将在客户平台(笔记本电脑)上推出。

英特尔将在2019年和2020年推出各种10纳米产品，包括2020年上半年推出的基于服务器的10纳米产品:

在上面的幻灯片中，英特尔声称将在生产上投资7纳米，并在2021年推出一款产品。对于一家有10纳米问题的公司来说，这听起来非常激进。它甚至在英特尔radmap中显示，10纳米(和10 +和10+)的生命周期比14纳米系列的过程短得多。

考虑到这一点，英特尔的7纳米将是英特尔从14纳米和10纳米系列产品中学到的东西的结合。英特尔希望扩大2倍(摩尔定律)，但计划中的节点内优化是路线图的一部分。英特尔还在减少设计规则的数量，这有助于实施。7纳米也将是英特尔和euv的交汇点，下一代foveros和emib封装也将推出。

英特尔提供了这张幻灯片，展示了一个个人电脑中心芯片，包括一个基于foveros和emib的多芯片数据中心芯片。这证实了我们与英特尔芯片和封装团队的讨论，他们还说，我们将在组合产品中看到foveros和emib，尤其是gpu。

英特尔宣布其领先的7纳米产品(领先=顶级，还是领先=第一？)将成为其基于xe图形架构的新gpu。英特尔表示，其xe产品堆栈将有两种不同的微体系结构，从移动客户端到gpu，其中一种称为北极之声。根据英特尔的新闻稿，技术上来说，它将在2020年推出第一款独立的图形处理器，但7纳米图形处理器将在2021年推出。

来源：搜狐微门户