我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产

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新华社4月11日报道，位于武汉“中国光谷”的国家存储基地项目的芯片生产机11日正式进入现场安装，标志着国家存储基地从工厂建设阶段进入量产准备阶段，中国第一批拥有完全自主知识产权的32层三维nand闪存芯片将在今年内量产，从而填补了中国主流存储领域的空白。

目前，中国的通用存储器基本上依赖进口。2017年，国家存储基地成功开发了中国第一个32层3D与非门闪存芯片。这款芯片耗资10亿美元，由一个1000人的团队独立研发了两年，是中国制造技术最接近国际高端水平的主流芯片。有望使中国进入全球存储芯片的第一梯队，有效提升“中国核心”在国际市场的地位。

据报道，2016年，紫光集团联合国集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金和湖北科学投资共同投资建设了国家记忆基地项目，总投资240亿美元。项目一期总产能将达到30万件/月，年产值将超过100亿美元。

紫光集团董事长赵卫国表示，该设备将于今年10月投产，预计64层闪存产品将在2019年底实现攀升的量产。未来十年，紫光集团计划投资至少1000亿美元，相当于平均每年投资100亿美元，进一步缩小中国在高端芯片领域与发达国家的差距。

来源：搜狐微门户